Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6)

Автор(и)

  • А.В. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.Г. Сильчева Луганский национальный университет им. Тараса Шевченко МОН Украины, г. Луганск, 91011, Украина
  • Н.Г. Кисель Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.В. Бурховецкий Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.Я. Сычева Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.С. Мазур Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • Ю.Ф. Ревенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.К. Прокопенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.П. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г. Донецк, 83114, Украина
  • Н.А. Леденёв Донецкий национальный университет МОН Украины, г. Донецк, 83055, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4894317%20

Ключові слова:

манганиты, дефектность структуры, магниторезистивный эффект, фазовые переходы.

Анотація

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными (χас и ЯМР 55Mn), магниторезистивным и электрон-номикроскопическим методами исследованы керамические образцы Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6). Показано, что с ростом концентрации x тип искажения элементарной ячейки изменяется от орторомбического (x = 0−0,2) к псевдокубическому (x = 0,4−0,6) и повышается дефектность структуры, содержащей анионные и катионные вакансии. Уменьшение температур фазовых переходов «металл–полупроводник» Tms и «ферро–парамагнетик» TС, повышение удельного сопротивления и энергии активации при росте x объяснено повышением концентрации вакансий, ослабляющих высокочастотный электронный двойной обмен Mn3+↔Mn4+. Для составов с повышенным содержанием неодима обнаружен переход в антиферромагнитное состояние при понижении температуры ниже 130 К. Наблюдается два вида магниторезистивного эффекта. Величина первого эффекта, который проявляется вблизи температур фазовых переходов Tms и TС, повышается с ростом концентрации x. Величина второго эффекта, обнаруженного в низкотемпературной области, превосходит значение первого. Построены фазовые диаграммы магнитного состояния, которые характеризуют сильную корреляционную взаимосвязь между составом, дефектностью структуры, фазовыми переходами и функциональными свойствами, в том числе магниторезистивным эффектом.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2014-06-17

Як цитувати

(1)
Пащенко, А.; Сильчева, А.; Кисель, Н.; Бурховецкий, В.; Сычева, В.; Мазур, А.; Ревенко, Ю.; Прокопенко, В.; Пащенко, В.; Леденёв, Н. Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6). Fiz. Nizk. Temp. 2014, 40, 922-930.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2