Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Автор(и)

  • В.В. Вальков Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, 660036, Россия
  • С.В. Аксенов Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, 660036, Россия
  • Е.А. Уланов Сибирский аэрокосмический университет, г. Красноярск, 660014, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4775746

Ключові слова:

эффект Фано, транспортные явления.

Анотація

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2012-11-14

Як цитувати

(1)
Вальков, В.; Аксенов, С.; Уланов, Е. Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 39, 48-52.

Номер

Том 39 № 1 (2013)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають