Эффект Джозефсона в купратных сверхпроводниковых структурах

Автор(и)

  • Г.А. Овсянников Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН ул. Моховая, 11-7, г. Москва 125009, Россия
  • К.И. Константинян Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН ул. Моховая, 11-7, г. Москва 125009, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3702585

Ключові слова:

джозефсоновские переходы, гетероструктуры, андреевские состояния.

Анотація

Обсуждаются электрофизические и СВЧ свойства сверхпроводниковых структур из купратных сверхпроводников: бикристаллических переходов и гибридных меза-гетероструктур. Показано, что в контактах купратных сверхпроводников, имеющих доминирующий dx2y2-волновой тип симметрии параметра порядка, электронный транспорт определяется свойствами барьера на границе сверхпроводников, обусловленными возникновением связанных состояний из-за многократного андреевского отражения. В бикристаллических переходах это проявляется в линейности зависимости плотности критического тока от корня из прозрачности границы, а также возрастанием спектральной плотности дробового шума при ма- лых напряжениях. Экспериментально показано, что плотность сверхпроводящего тока в гибридных меза-гетероструктурах с антиферромагнитной купратной прослойкой достигает значений jс = 1–700 A/cм2 при толщинах прослойки dM = 10–50 нм, а характерная длина затухания сверхпроводящих корреляций составляет величину порядка 7 нм, что объясняется аномальным эффектом близости в модели контакта сверхпроводников, соединенных многослойной магнитной прослойкой с антиферромагнитным упорядочением намагниченности в слоях. Обнаружено, что гибридные меза-гетероструктуры обладают существенно большей чувствительностью к внешнему магнитному полю, чем обычные джозефсоновские переходы, из-за сильной зависимости сверхпроводящего тока от спинового состояния прослойки.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2012-03-20

Як цитувати

(1)
Овсянников, Г.; Константинян, К. Эффект Джозефсона в купратных сверхпроводниковых структурах. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 38, 423-433.

Номер

Розділ

Статті