Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках

Автор(и)

  • А.И. Войтенко Институт физики, Национальная академия наук Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, 03680, Украина
  • А.М. Габович Институт физики, Национальная академия наук Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, 03680, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3533237

Ключові слова:

волны зарядовой плотности, d-сверхпроводимость, частичная диэлектризация, реентранс параметра порядка, высокотемпературные сверхпроводники.

Анотація

Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлектризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующие угловые диаграммы распределения щелей на поверхности Ферми. Разработанная теория применяется для объяснения свойств высокотемпературных оксидов. Проанализировано влияние угла рассогласования между лепестками параметров порядка Σ и Δ на распределение щелей в импульсном пространстве и на явление реентранса Σ по температуре.

Downloads

Опубліковано

2010-10-21

Як цитувати

(1)
А.И. Войтенко and А.М. Габович, Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках, Low Temp. Phys. 36, (2010) [Fiz. Nizk. Temp. 36, 1300-1311, (2010)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3533237.

Номер

Том 36 № 12 (2010)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.