Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем

Автор(и)

  • В.М. Дмитриев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • И.В. Золочевский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3132743

Ключові слова:

широкая сверхпроводящая пленка, ас линия проскальзывания фазы.

Анотація

Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2009-03-20

Як цитувати

(1)
Дмитриев, В.; Золочевский, И. Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 475-478.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>