Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

Автор(и)

  • В.Е. Сивоконь Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • К.А. Наседкин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.С. Неонета Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2966713

Ключові слова:

сверхтекучий жидкий гелий, электрон-риплонные резонансы, динамический фазовый переход.

Анотація

При температуре T = 80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns = 6,2∙108 см-2 над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1-30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1-20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе.

Downloads

Опубліковано

2008-07-03

Як цитувати

(1)
В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, and А.С. Неонета, Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях, Low Temp. Phys. 34, (2008) [Fiz. Nizk. Temp. 34, 761-767, (2008)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2966713.

Номер

Том 34 № 8 (2008)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>