Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках

Электронные свойства низкоразмерных систем

Автор(и)

  • С.Г. Новокшонов Институт физики металлов, УрО РАН, ГСП-170 ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620219, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2409647

Ключові слова:

куперон в многослойной структуре, отрицательное магнитосопротивление, межслоевое рассеяние.

Анотація

Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd1-xCexCuO4 выше критической температуры.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2007-02-05

Як цитувати

(1)
Новокшонов, С. Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках: Электронные свойства низкоразмерных систем. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 174-181.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають