Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы

Автор(и)

  • А.И. Безуглый Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2126944

Ключові слова:

PACS: 73.90. f, 73.40.Gk

Анотація

При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом.

Downloads

Опубліковано

2005-08-22

Як цитувати

(1)
А.И. Безуглый, Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы, Low Temp. Phys. 31, (2005) [Fiz. Nizk. Temp. 31, 1153-1157, (2005)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2126944.

Номер

Том 31 № 10 (2005)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження