Асимметрия релаксационных процессов и рождение высокоэнергичных фононов в анизотропных фононных системах Не II
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1461919Ключові слова:
PACS: 67.40.PmАнотація
Исследованы процессы релаксации в анизотропных фононных системах в сверхтекучем гелии. Получены зависимости от импульса, температуры и параметра анизотропии для частот рождения и уничтожения высокоэнергичных фононов (h-фононов) во всех возможных процессах в анизотропной фононной системе. Выяснены физические причины асимметрии рождения и уничтожения h-фононов. Исследованы все процессы взаимодействия h-фононов с низкоэнергичными фононами (l-фононами) и h-фононов друг с другом, а также определена роль каждого из этих процессов в формировании функции распределения h-фононов. С учетом всех процессов, не сохраняющих полное число h-фононов, получено уравнение, которое описывает изменение плотности энергии h-фононов в основном пучке, и найдено квазистационарное решение этого уравнения. Получено уравнение, описывающее остывание пучка l-фононов вследствие рождения h-фононов и увеличения объема пучка при его движении. Решение этого уравнения позволило найти плотность энергии рожденных h-фононов в любой точке пространства в произвольный момент времени и плотность энергии l-фононов в основном пучке.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2001-12-26
Як цитувати
(1)
Адаменко, И. Н.; Немченко, К. Э.; Wyatt, A. F. G. Асимметрия релаксационных процессов и рождение высокоэнергичных фононов в анизотропных фононных системах Не II. Fiz. Nizk. Temp. 2001, 28, 123-137.
Номер
Розділ
Квантові рідини та квантові кристали