Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa2Cu3O7-x с однонаправленными границами двойников
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1355518Ключові слова:
PACS: 74.72.Bk, 74.60.JgАнотація
Крип вихрей при температурах 82-87 К в монокристалле, содержащем однонаправленные границы двойников (ГД), исследован в специальной геометрии эксперимента: J||ab, J|| ГД, H^J, aºÐH, ab - варьируемый параметр. Показано, что в слабых магнитных полях ГД изменяют конфигурационную структуру вихревых нитей при углах разориентации q между вектором магнитного поля H и плоскостями ГД вплоть до 70° : при углах q < 70° часть вихревой нити оказывается захваченной плоскостями ГД. Показано, что границы двойников являются эффективными центрами пиннинга при движении вихрей перпендикулярно плоскости ГД, поэтому в слабых магнитных полях при углах q < 70° реализуется направленное движение вихрей вдоль плоскостей ГД. Определена угловая зависимость энергии активации при пластическом механизме крипа, которая согласуется с проведенными теоретическими оценками. При ориентации вектора H в окрестности ab-плоскости кристалла максимум на угловой зависимости измеряемого "критического" тока JcE (a) , наблюдаемый в слабых магнитных полях при ориентации вектора поля H||ab, сменяется минимумом при увеличении магнитного поля, который объясняется заменой крипа невзаимодействующих вихрей коллективным крипом при увеличении магнитного поля.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2001-03-10
Як цитувати
(1)
Бондаренко, А. В.; Ревякина, М. Г.; Продан, А. А.; Оболенский, М. А.; Вовк, Р. В.; Ароури, Т. Р. Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa2Cu3O7-x с однонаправленными границами двойников. Fiz. Nizk. Temp. 2001, 27, 275-293.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна