Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

Автор(и)

  • В. И. Сугаков Научный центр "Институт ядерных исследований" НАН Украины, пр. Науки, 47, г. Киев, 03680, Укpаина
  • О. Н. Шевцова Научный центр "Институт ядерных исследований" НАН Украины, пр. Науки, 47, г. Киев, 03680, Укpаина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1353697

Ключові слова:

74.20.De, 74.25.Fy, 74.80.-g , 74.80.Bj

Анотація

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости.

Опубліковано

2001-02-10

Як цитувати

(1)
В. И. Сугаков and О. Н. Шевцова, Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров, Low Temp. Phys. 27, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 27, 121-126, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1353697.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.