Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии
Электpонные свойства металлов и сплавов
Ключові слова:
The behavior of conductivity on variations of temperature (1.5-40 K) and magnetic field strength (up to 20 kQe) was studied on a series of samples with the dбBс-layer in Si, the hole concentration in the conducting d-layer being 2.5·1013-2.2·1014 cm2. It is shown that the dependences obtained can be accounted for quite well as a manifestation of the weak localization effects and the interaction of mobile charge carriers (holes) in a two-dimensional electron system under the condition of a strong spin-orbital interaction. The temperature dependence of the phase relaxation time of the carriers tj=AT -1(A»(1.4╠0,3)·10-12K·s), which is treated as a manifestation of interhole interaction is found from the analysis of the behavior of quantum corrections. Also, the interaction constants are estimated (lT»0.64-0.73).Анотація
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с dбBс-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5╥1013-2,2╥1014 см-2 . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффектов слабой локализации и взаимодействия подвижных носителей заряда (дырок) в двумерной электронной системе в условиях сильного спин-орбитального взаимодействия. Из анализа поведения квантовых поправок определена температурная зависимость времени фазовой релаксации носителей tj=AT-1 , где A»(1,4╠0,3)╥10-12K╥c, рассматриваемая как проявление процессов междырочного рассеяния, а также получены значения константы взаимодействия (lT» 0,64- 0,73).Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2000-08-10
Як цитувати
(1)
Krasovitsky, V. B.; Komnik, Y. F.; Myronov, M.; Whall, T. E. Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 815-820.
Номер
Розділ
Статті
