Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.593916Ключові слова:
PACS: 74.20.√z, 74.10. vАнотація
Исследована сверхпроводимость в системах с переменной плотностью носителей заряда, сильными электронными корреляциями (путем учета влияния этих корреляций на электрон-фононное взаимодействие) и малыми энергиями Ферми. Последнее обстоятельство приводит к нарушению теоремы Мигдала и к необходимости учета вершинных и пересекающихся диаграмм по электрон-фононному взаимодействию (Pv , Pc ). Рассмотрена двумерная и трехмерная системы. Найдены величины Pv и Pc и уравнение для импульса обрезания электрон-фононного взаимодействия Qc . Показана зависимость этой величины от концентрации носителей заряда. Получены выражения для температуры сверхпроводящего перехода Tc и коэффициента изотопического эффекта a и проанализировано их поведение как функций концентрации носителей заряда. Определены значения плотностей носителей заряда, при которых возможна сверхпроводимость в двумерной и трехмерной системах.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2000-06-10
Як цитувати
(1)
Палистрант, М. Е. Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 557-566.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна