Формирование и локализация электронных возбуждений в криокристаллах неона

Автор(и)

  • И. Я. Фуголь Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 310164, г. Харьков, пр. Ленина, 47
  • А. Г. Белов Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 310164, г. Харьков, пр. Ленина, 47
  • Е. И. Тарасова Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 310164, г. Харьков, пр. Ленина, 47
  • Е. М. Юртаева Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 310164, г. Харьков, пр. Ленина, 47

Ключові слова:

Анотація

Проведен анализ особенностей состояний экситонов в неоне в приближении жесткой решетки и с учетом ее легкой деформируемости. Обсуждаются закономерные изменения атомных и молекулярных состояний при переходе от тяжелых инертных элементов к легким, которые приводят к появлению ряда характерных отличий зонных возбуждений в неоне. Уточняются динамические параметры, связанные с эффектами резонансного переноса энергии по кристаллу для электронов, дырок и экситонов, а также с процессами автолокализации квазичастиц. Показано, что сильная связь нижайшего экситонного состояния с локальными колебаниями окружающей решетки приводит к смешиванию свободных и автолокализованных возбуждений, а также к существенному понижению подвижности экситонов. Сравнение экспериментальных и расчетных спектров поглощения смешанных состояний позволилo уточнить параметры экситон-фононной связи для синглетной и триплетной компонент экситона.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1999-08-10

Як цитувати

(1)
Фуголь, И. Я.; Белов, А. Г.; Тарасова, Е. И.; Юртаева, Е. М. Формирование и локализация электронных возбуждений в криокристаллах неона. Fiz. Nizk. Temp. 1999, 25, 950-963.

Номер

Розділ

Фізичні властивості кpіокpисталів

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 6 > >>