К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей

Автор(и)

  • Л. И. Глазман
  • В. М. Цукерник

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1980-05-10

Як цитувати

(1)
Глазман, Л. И.; Цукерник, В. М. К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей. Fiz. Nizk. Temp. 1980, 6, 599-603.

Номер

Розділ

Статті