Effect of microwave radiation on the dielectric properties of Cd1–xZnхTe crystals

Анотація

Досліджено вплив електромагнітного поля надвисокої частоти на діелектричні властивості кристалів Cd_1–xZn_xTe (x = 0,12–0,16). Кристали вирощували з розплаву методом Бріджмена. В експериментах використовували зразки з питомим електричним опором не гірше 10⁹ Ом⋅см. Частотну залежність дійсної та уявної частин діелектричної проникності вимірювали в діапазоні частот 101–105 Гц. Такі вимірювання проводили до початку та після впливу електромагнітного поля на зразки. Крім того, на фіксованій частоті вимірювали залежності цих значень від тривалості впливу електромагнітного поля. Встановлено, що залежно від початкового значення дійсної частини комплексної діелектричної проникності, вплив електромагнітного поля може спричинити як зменшення, так і збільшення цього значення без суттєвої зміни типу його частотної залежності. Тип частотної залежності уявної частини діелектричної проникності, а також зміни цієї залежності в результаті дії електромагнітного поля також визначаються початковим значенням дійсної частини діелектричної прони-кності. Вплив електромагнітного поля надвисокої частоти на діелектричні властивості кристалів Cd_1–xZn_xTe пов’язаний з атермічними ефектами термостимульованого струму. У цьому випадку суттєву роль відіграють власні дефекти структури та дефектні комплекси, що ними генеруються. Припускається, що розпад таких комплексів на простіші заряджені дефекти та дрейф останніх в електромагнітному полі може спричиняти різний вплив на частини комплексної діелектричної проник-ності залежно від початкової концентрації власних структурних дефектів у кристалі.