Some aspects of the resistive-to-normal state transition caused by direct and microwave currents in superconducting thin films with phase slip lines
Ключові слова:
resistive state, phase slip line, low-temperature laser scanning microscopy, localized normal domainsАнотація
На основі аналізу вольт-амперних характеристик та візуалізації резистивного стану тонкоплівкових смужок олова за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії (НТЛСМ) досліджено процес руйнування надпровідності струмом та мікрохвильовим опроміненням з утворенням і просторовою перебудовою ліній проковзування фази параметра порядку та їх перетворення в дискретні локалізовані нормальні області. Розглянуто перспективи НТЛСМ з точки зору дослідження високочастотних властивостей надпровідних структур і просторових характеристик у докритичному стані для інструментальних застосувань.
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2024-02-28
Як цитувати
(1)
Turutanov, O. G. .; Sivakov, A. G. .; Leha, A. A. .; Pokhila, A. S. .; Kolinko, A. E. .; Grajcar, M. . Some Aspects of the Resistive-to-Normal State Transition Caused by Direct and Microwave Currents in Superconducting Thin Films With Phase Slip Lines. Fiz. Nizk. Temp. 2024, 50, 315–324.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
