On the specific behavior of the work function and surface potential of an asymmetric metal-dielectric nanosandwich

Автор(и)

  • V. V. Pogosov National University “Zaporizhzhya Polytechnic”, Zaporizhzhia 69063, Ukraine

Ключові слова:

work function, surface potential, sandviches, films, jellium models, electrostatics

Анотація

Досліджено тонку плівку на діелектричній підкладці (вакуум/Al/SiO2) у межах моделі стабілізованого желе та методу Кона–Шема. Розглянуто вплив поверхні та розміру на ефективний потенціал і роботу виходу електрона та проаналізовано просторовий розподіл електронів і потенціалів. Виявлено, що діелектричне середовище, як правило, призводить до зменшення роботи виходу. Вплив діелектричного обмеження для роботи виходу електрона в асиметричних металодіелектричних наносендвічах зменшується лише до середньозваженого значення діелектричних констант за площею поверхні. Цей висновок випливає із застосування теореми Гауса для провідної сфери з неоднорідним діелектричним покриттям. Потік електронів від діелектричної грані до вакуумної в наслідок контактної різниці потенціалів проявляється у появі додаткового диполя між лівою та правою гранню в межах просторового розподілу іонів. Це призводить до того, що у вакуумі електростатичний та ефективний потенціали змінюють знак двічі, внаслідок чого потенційний бар’єр виникає над рівнем вакууму. Запроваджено положення електронної зони провідності в діелектрику як вхідний параметр у процедурі самоузгодження для одного із сендвіч-наближень. Як виявилося, висота бар'єра залежить лише від того, яке наближення енергії обмінної кореляції використовується — локальне чи нелокальне. Обговорено нетривіальне походження та поведінку розрахованого ефективного потенціалу на вакуумній стороні плівки, а також причини цього.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2024-02-28

Як цитувати

(1)
Pogosov, V. V. . On the Specific Behavior of the Work Function and Surface Potential of an Asymmetric Metal-Dielectric Nanosandwich. Fiz. Nizk. Temp. 2024, 50, 372–380.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках