AB bilayer graphene in the external magnetic field

Анотація

Стаття присвячена дослідженню впливу зовнішнього магнітного поля на фізичні властивості двошарового (AB) графену. Розглянуто узагальнену модель Хаббарда для вивчення фізичних властивостей двошарового графена AB у зовнішньому магнітному та електричному полях. Чисельно розраховано ряд фізичних параметрів системи як функцію магнітного та електричного поля. Розглянуто різні способи заповнення шарів та їх вплив на поведінку розрахованих фізичних параметрів. Показано, що при половинному заповненню шарів в сильному магнітному полі досягається стан зарядової нейтральності в двошаровому графені, тоді як при частковому заповненні система лише зарядово стабілізована. Крім того, для обох режимів заповнення знайдено вузьку область магнітних полів, в якій зберігається екситонна спаровувальна взаємодія.