АРАПОВ, Ю.; ГУДИНА, С.; НЕВЕРОВ, В.; НОВОКШОНОВ, С.; КЛЕПИКОВА, А.; ХАРУС, Г.; ШЕЛУШИНИНА, Н.; ЯКУНИН, М. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, Харків, Україна, v. 39, n. 1, p. 66–75, 2012. DOI: 10.1063/1.4775752. Disponível em: https://fnt.ilt.kharkiv.ua/index.php/fnt/article/view/f39-0066r. Acesso em: 27 квіт. 2024.