ВИНОСЛАВСКИЙ, М.; БЕЛЁВСКИЙ, П.; ПОРОШИН, В.; ВАЙНБЕРГ, В.; БАЙДУСЬ, Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, Харків, Україна, v. 46, n. 6, p. 755–761, 2020. DOI: 10.1063/10.0001248. Disponível em: https://fnt.ilt.kharkiv.ua/index.php/fnt/article/view/f46-0755r. Acesso em: 4 груд. 2024.