Хейфец, О., Бабушкин, А., Шабашова, О., & Мельникова, Н. (2007). Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 33(2-3), 374–377. https://doi.org/10.1063/1.2719968