О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, and Н.В. Мельникова, Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 374-377, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2719968.