Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor - Bebitov, R. R.; Abdulkhaev, O. A.; Yodgorova, D. M.; Istamov, D. B.; Kuliyev, Sh. M.; Khakimov , A. A.; Bobonazarov, A. B.; Rakhmatov, A. Z. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2024)
Продуктивність діодних сенсорів температури залежить від товщини їх збідненої області та профілю розподілу домішок. У цій статті досліджено процес дифузії атомів бору в тонкій області прошарку товщиною близько 1 мкм. Показано, що для запропонованої p+–n–p-структури сенсора температури розподіл домішок в n-області має форму асиметричної параболи, причому крайня точка концентрації зміщена в бік «верхньої» p+-області.