Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе - Кульбачинский, В.А.; Кытин, В.Г.; Кудряшов, А.А.; Лунин, Р.А.; Banerjee, A. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2017)
Представлены результаты исследования эффекта Шубникова–де Гааза и термоэлектрических свойств монокристаллов р-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, легированных Ga, n-Bi2–xTlxSe3 и p-Sb2–xTlxTe3. По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании. Установлено, что Ga действует, как донор в р-(Bi0,5Sb0,5)2Te3, Tl оказывает акцепторное действие в n-Bi2–xTlxSe3 и увеличивает подвижность электронов, в то время как в p-Sb2–xTlxTe3 и концентрация дырок и их подвижность уменьшается при легировании Tl. Обсуждается изменение дефектности кристаллов, которое и приводит к этим эффектам. Кроме этого, синтезированы и исследованы наноструктурированные твердые растворы Sb2Te3–xSex (0 < x <1). При увеличении содержания Se в тройном соединении Sb2Te3–xSex концентрация дырок уменьшается. При этом наблюдается уменьшение коэффициента Зеебека, что является нетипичным для полупроводниковых соединений, но коррелирует со свойствами кристаллических твердых растворов Sb2Te3–xSex, исследованных ранее. Предложена теоретическая модель, описывающая одновременно изменение коэффициента Зеебека, коэффициента Холла и электропроводности в зависимости от содержания селена х. Проведенные расчеты показывают, что для одновременного количественного описания термоэлектрических и гальваномагнитных свойств исследованных наноструктурированных материалов необходимо учитывать как изменение зонной структуры Sb2Te3–xSex, так и локализацию части дырок.