Ферромагнитный резонанс в наноструктурах с температурно-контролируемым межслойным взаимодействием - Полищук, Д.М.; Тихоненко-Полищук, Ю.О.; Кравец, А.Ф.; Товстолыткин, А.И.; Джежеря, Ю.И.; Погорелый, А.Н.; Korenivski, V. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2017)
Выполнен комплексный анализ магнитно-резонансных свойств многослойной структуры F1/f(d)/F2pin, где F1 и F2pin — свободный и обменно-закрепленный сильномагнитные слои, f — слабомагнитная прослойка с точкой Кюри в окрестности комнатной температуры. В зависимости от магнитного состояния спейсера f (ферромагнитное или парамагнитное) обменное взаимодействие между слоями F1 и F2pin становится функцией температуры, что открывает широкие возможности для практических применений. Полученные результаты показывают, что межслойная обменная связь может быть усилена или путем уменьшения толщины спейсера d, или путем понижения температуры. Усиление обменной связи приводит к более сильному проявлению однонаправленной анизотропии в ферромагнитном резонансе слоя F1, а также к нетипичному для тонких пленок уширению резонансных линий. Обнаруженные особенности анализируются в контексте сравнения двух эффектов различной природы — влияния толщины спейсера d и температуры. Так, характер изменения однонаправленной анизотропии остается одинаковым при варьировании как толщины спейсера, так и температуры. Однако уширение линии магнитного резонанса оказывается более чувствительным к изменению межслойного взаимодействия, вызванному вариацией d, и менее чувствительным к изменениям, вызванным изменением температуры.