Влияние температуры, магнитного поля и высоких гидростатических давлений на сопротивление и магниторезистивный эффект в керамике и пленке лазерного напыления La 0,9Mn1,1O3±d: Электpонные свойства металлов и сплавов - Пащенко, В. П.; Кучеренко, С. С.; Поляков, П. И.; Шемяков, А. А.; Дьяконов, В. П. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2001)
Рентгеностpуктуpным, магнитным и резистивным методами исследовали влияние напряженности магнитного поля (H=0; 2; 4; 6; 8 кЭ), высоких гидростатических давлений (P=0-1,8 ГПа) и темпеpатуpы (T=77-300 К) на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (DR/R0) и темпеpатуpы фазовых переходов в керамических и тонкопленочных манганит-лантановых образцах La 0,9Mn1,1O3±d Установлено, что с увеличением Н и Р уменьшается сопротивление и увеличиваются темпеpатуpы фазового перехода металл-полупроводник (Tms) и пика магниторезистивного эффекта (Tp). Различия в удельных сопротивлениях, магниторезистивных эффектах и темпеpатуpах фазовых переходов в керамике и пленке лазерного напыления объяснены различной нестехиометрией идефектностью их стpуктуpы. Обнаруженные линейные зависимости r и Tms от P позволяют использовать манганит-лантановую керамику и пленку в качестве датчиков давления и темпеpатуpы.