Josephson junctions with semiconductor barriers doped by metal - Shaternik , V. E.; Moshchil , V. E.; Shaternik , A. V. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2025)
Тонкоплівкові переходи MoRe–Si(W)–MoRe виготовлено методом магнетронного розпилення мішеней в атмосфері аргону з подальшим осадженням тонких плівок через металеві маски на підкладки з полікристалічного оксиду алюмінію (полікору) або сапфіру. Для дослідження розподілу прозоростей у сформованому Si(W)-бар’єрі використано модель багаторазових андріївських відбиттів, у межах якої розраховано квазічастинкові вольт-амперні характеристики переходів та проведено їх порівняння з експериментальними даними.