(1)
ВВ. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Ю. Ф. Комник, О. А. Миронов, and Т. Е. Волл, Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 1202-1206, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1334440.