Винославский, М., Белёвский, П., Порошин, В., Вайнберг, В. і Байдусь, Н. 2020. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 46, 6 (Квіт 2020), 755–761. DOI:https://doi.org/10.1063/10.0001248.