[1]
Арапов, Ю., Гудина, С., Неверов, В., Новокшонов, С., Клепикова, А., Харус, Г., Шелушинина, Н. і Якунин, М. 2012. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла. ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. 39, 1 (Лис 2012), 66–75. DOI:https://doi.org/10.1063/1.4775752.