Фізика низьких темпеpатуp: Том 48, Випуск 2 (Лютий 2022), c. 181-184    ( до змісту , назад )

Large area CdxHg1–xTe photodiode with picosecond response time τRC

N. J. Ismayilov and A. A. Rajabli

The Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku Az-1143, Azerbaijan
E-mail: ismailovnamik@yahoo.com

Received July 16, 2021, revised August 27, 2021, published online December 24, 2021

Анотація

Наведено конструкцію та технологію виготовлення швидкодійних високоякісних мезафотодіодів Ø 300 мкм зі сполук CdxHg1–xTe для спектрального діапазону 3–5 мкм. Викладено особливості конструкції та технології, а також основні характеристики виготовлених фотодіодів. Показано, що використання напівпрозорого шару нікелю, товщиною 5 нм, осадженого на поверхню n+-шару, дозволяє зменшити послідовний опір Rser до 1–2 Ом і час фотовідповіді τ до 10–11с.

Ключові слова: CdxHg1–xTe, photodiode, converted layer, response time.