Фізика низьких темпеpатуp: Том 48, Випуск 2 (Лютий 2022), c. 176-180    ( до змісту , назад )

Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells

P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. V. Vainberg, O. S. Pylypchuk, and V. N. Poroshin

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine
E-mail: ppaasshhaa@ukr.net
pylypchuk@iop.kiev.ua

Received August 30, 2021, published online December 24, 2021

Анотація

Досліджено поведінку електричної провідності в одинарних та подвійних тунельно-зв’язаних квантових ямах (КЯ) з різним профілем легування, що викликана впливом короткихімпульсів сильного поздовжнього (у площині квантових ям) електричного поля. Встановлено, що при низьких температурах (4 К) після такого впливу може спостерігатися довготривалий метастабільний стан із підвищеною провідністю у випадку асиметричної пари КЯ з δ-шаром домішки у більш вузькій КЯ. У конструкціях з іншими конфігураціями КЯ цього не спостерігається. Спостережений ефект пояснюється моделлю, що враховує метастабільні зміни в спектрі енергетичних станів електронів у досліджених структурах, які зумовлені дією імпульсів сильного електричного поля.

Ключові слова: semiconductor heterostructures, coupled quantum wells, impurity band.