Фізика низьких темпеpатуp: Том 48, Випуск 2 (Лютий 2022), c. 166-175    ( до змісту , назад )

Concentration, thermodynamic density of states, and entropy of electrons in semiconductor nanowires

G. Gulyamov

Namangan Engineering Construction Institute, Namangan 160103, Uzbekistan

A. B. Davlatov and Kh. N. Juraev

Physical-Technical Institute, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
E-mail: litsey111213@gmail.com

Received July 14, 2021, published online December 24, 2021

Анотація

Отримано наближені рівняння для концентрації носіїв заряду, термодинамічної густини станів та ентропії електронів у напівпровідникових нанопроводах. Для знаходження концентрації носіїв заряду використовували рівняння для загальної кількості частинок. Використовуючи різні наближені вирази для функції розподілу Фермі–Дірака, отримано наближені рівняння для концентрації носіїв заряду, термодинамічної щільності станів, ентропії, також побудовано та проаналізовано графіки їх залежностей від хімічного потенціалу при різних температурах. Наведено та проаналізовано графіки температурної залежності хімічного потенціалу. Використовуючи термодинамічну щільність станів, отримано температурні залежності енергетичних рівнів та теплових коефіцієнтів змін цих рівнів.

Ключові слова: nanowires, thermodynamic density of states, entropy, chemical potential.