Фізика низьких темпеpатуp: Том 48, Випуск 2 (Лютий 2022), c. 154-159    ( до змісту , назад )

Superconductivity in hole-doped germanium point contacts

N. V. Gamayunova1, M. Kuzmiak2, P. Szabó2, P. Samuely2, and Yu. G. Naidyuk1

1B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine
E-mail: naidyuk@ilt.kharkov.ua

2Centre of Low Temperature Physics, Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences Košice SK-04001, Slovakia

Received September 6, 2021, published online December 24, 2021

Анотація

Надпровідність в сильно p-допованому Ge досліджено шляхом вимірювання диференціального опору dV/dI(V) мікроконтактів Ge–PtIr. Надпровідні особливості зникають вище температури 6 К або в магнітному полі вище 1 Тл, що можна сприймати як критичну температуру та критичне магнітне поле. Спостережений dV/dI(V) спектр з ознаками, подібними до тих, що спостерігаються в андріївському відбитті, описується в межах однощілинної моделі Блондера–Тінкхама– Клапвіка. Поведінка температурної залежності надпровідної щілини відповідає моделі Бардіна–Купера–Шріфера для звичайних надпровідників, при цьому співвідношення 2Δ/kBTc = = 10.5 ± 0.5 набагато вище, ніж очікувалося для звичайних надпровідників. Магнітне поле пригнічує особливості андріївського відбиття, але надпровідна щілина помірно зменшується, як раніше спостерігалося в надпровідниках другого роду, включаючи нікелеві борокарбіди та надпровідники на основі заліза. Цікаво, що надпровідність в n-допованому Ge з аналогічною концентрацією легованих домішок нами не спостерігалась.

Ключові слова: p-doped Ge, Andreev reflection spectroscopy, Blonder–Tinkham–Klapwijk model, superconducting gap.